Tokiais plonais sluoksniais įmanoma padengti dviejų colių ar dar didesnės įstrižainės silicio plokšteles, naudojamas įvairių elektronikos prietaisų gamyboje. Tai atveria galimybes dar labiau sumažinti esamus puslaidininkinius prietaisus ir pagaminti mažesnius šviesos diodus, lazerius ar kompiuterių lustus.
Kurdami naują gamybos techniką, inžinieriai pasitelkė molibdeno disulfidą – nebrangią medžiagą, kurios elektrinės ir optinės savybės yra panašios į kitas puslaidininkių pramonėje naudojamas medžiagas. Tačiau molibdeno disulfidas skiriasi tuo, kad neprarasdamas savo savybių, gali būti auginamas tik atomo storio sluoksniais.
Naujoje gamybos technikoje naudojama iki 850 laipsnių pagal Celsijų įkaitinta krosnis, kurioje garinami sieros ir molibdeno chlorido milteliai. Šioms medžiagoms reaguojant tarpusavyje susiformuoja jau minėtas molibdeno disulfidas, kurio garais ir yra padengiamas substratas.
Mokslininkai gali sukurti ne tik vieno, bet ir dviejų, trijų ar keturių atomų storio puslaidininkinės medžiagos sluoksnius, kontroliuodami krosnyje susidarantį dalinį ir garų slėgį. Skirtingas dalinis krosnies slėgis sulėtina medžiagos atomų ir molekulių judėjimą, dėl ko jos ima kondensuotis į kietos būsenos medžiagą, padengiančią plokštelę. Reguliuojant garų slėgį medžiagos sluoksnį galima vėl išgarinti.
Daktaro Linyou Cao vadovaujama mokslininkų komanda su šio metu patentuojama gamybos technologija siekia sukurti lauko tranzistorius ir šviesos diodus.
